摘 要：就可控硅勵(lì)磁設(shè)備和電機(jī)車(chē)上可控硅應(yīng)用情況，在不同的場(chǎng)合、線路和負(fù)載的狀態(tài)下，對(duì)可控硅的重要參數(shù)的選擇進(jìn)行了論證，以使設(shè)備運(yùn)行更良好，使用壽命更長(zhǎng)。

　　關(guān)鍵詞：可控硅；參數(shù)；選擇　　

　　電力電子晶閘管亦即過(guò)去國(guó)內(nèi)稱為可控硅，國(guó)外簡(jiǎn)稱為SCR元件，是硅整流裝置中主要的器件，它的參數(shù)選擇是否合理直接影響著設(shè)備運(yùn)動(dòng)性能。合理地選用可控硅可提高運(yùn)行的可靠性和使用壽命，保證生產(chǎn)和降低設(shè)備檢修成本費(fèi)用。本文就樂(lè)山冶金機(jī)械軋輥廠使用較多的磁選和電機(jī)車(chē)設(shè)備選用晶閘管有關(guān)電參數(shù)作出論述。

　　在一般情況下，裝置生產(chǎn)廠圖紙?zhí)峁┑目煽毓璧膮?shù)主要兩項(xiàng)：即額定電流(A)和額定電壓(V)，使用部門(mén)提出的器件參數(shù)要求也只是這兩項(xiàng)，在變頻裝置上的快速或中頻可控硅多一個(gè)換向關(guān)斷時(shí)間(tg)參數(shù)，在一般情況下也是可以的。但是從提高設(shè)備運(yùn)行性能和使用壽命的角度出發(fā)，我們?cè)谶x用可控硅器件時(shí)可根據(jù)設(shè)備的特點(diǎn)對(duì)可控硅的某一些參數(shù)也作一些挑選。根據(jù)可控硅的靜態(tài)特性，對(duì)可控硅器件參數(shù)的選擇提出如下幾點(diǎn)討論。

　　1 選擇正反向電壓

　　可控硅在門(mén)極無(wú)信號(hào)，控制電流Ig為0時(shí)，在陽(yáng)(A)一一陰(K)極之間加(J2)處于反向偏置，所以，器件呈高阻抗?fàn)顟B(tài)，稱為正向阻斷狀態(tài)，若增大UAK而達(dá)到一定值VBO，可控硅由阻斷突然轉(zhuǎn)為導(dǎo)通，這個(gè)VBO值稱為正向轉(zhuǎn)折電壓，這種導(dǎo)通是非正常導(dǎo)通，會(huì)減短器件的壽命。所以必須選擇足夠正向重復(fù)阻斷峰值電壓(VDRM)。在陽(yáng)一一陰極之間加上反向電壓時(shí)，器件的第1和第三PN結(jié)(J1和J3)處于反向偏置，呈阻斷狀態(tài)。當(dāng)加大反向電壓達(dá)到一定值VRB時(shí)可控硅的反向從阻斷突然轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)是反向擊穿，器件會(huì)被損壞。而且VBO和VRB值隨電壓的重復(fù)施加而變小。在感性負(fù)載的情況下，如磁選設(shè)備的整流裝置。在關(guān)斷的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生很高的電壓( ∈=-Ldi/dt)，如果電路上未有良好的吸收回路，此電壓將會(huì)損壞可控硅器件。因此，器件也必須有足夠的反向耐壓VRRM。

　　可控硅在變流器(如電機(jī)車(chē))中工作時(shí)，必須能夠以電源頻率重復(fù)地經(jīng)受一定的過(guò)電壓而不影響其工作，所以正反向峰值電壓參數(shù)VDRM、VRRM應(yīng)保證在正常使用電壓峰值的2-3倍以上，考慮到一些可能會(huì)出現(xiàn)的浪涌電壓因素，在選擇代用參數(shù)的時(shí)候,只能向高一檔的參數(shù)選取。

　　2 選擇額定工作電流參數(shù)

　　可控硅的額定電流是在一定條件的更大通態(tài)平均電流IT，即在環(huán)境溫度為+40℃和規(guī)定冷卻條件，器件在阻性負(fù)載的單相工頻正弦半波，導(dǎo)通角不少于l70℃的電路中，當(dāng)穩(wěn)定的額定結(jié)溫時(shí)所允許的更大通態(tài)平均電流。而一般變流器工作時(shí)，各臂的可控硅有不均流因素?？煽毓柙诙鄶?shù)的情況也不可能在170℃導(dǎo)通角上工作，通常是少于這一角度。這樣就必須選用可控硅的額定電流稍大一些，一般應(yīng)為其正常電流平均值的1.5-2.0倍。

　　3 選擇門(mén)極(控制級(jí))參數(shù)

　　可控硅門(mén)極施加控制信號(hào)使它由阻斷變成導(dǎo)通需經(jīng)歷一段時(shí)間，這段時(shí)問(wèn)稱開(kāi)通時(shí)間tgt，它是由延遲時(shí)間td和上升時(shí)間tx組成，tr是從門(mén)極電流脈沖前沿的某一規(guī)定起(比如門(mén)極電流上升到終值的90％時(shí)起)到通態(tài)陽(yáng)極電流IA達(dá)到終值的10％那瞬為止的時(shí)間隔，tr是陽(yáng)極電流從l0％上升到90％所經(jīng)歷的時(shí)間。可見(jiàn)開(kāi)通時(shí)間tgt與可控硅門(mén)極的可觸發(fā)電壓、電流有關(guān)，與可控硅結(jié)溫，開(kāi)通前陽(yáng)極電壓、開(kāi)通后陽(yáng)極電流有關(guān)，普通可控硅的tgt10μs以下。在外電路回路電感較大時(shí)可達(dá)幾十甚至幾百μs以上(陽(yáng)極電流的上升慢)。在選用可控硅時(shí)，特別是在有串并聯(lián)使用時(shí)，應(yīng)盡量選擇門(mén)極觸發(fā)特征接近的可控硅用在同一設(shè)備上，特別是用在同一臂的串或并聯(lián)位置上。這樣可以提高設(shè)備運(yùn)行的可靠性和使用壽命。如果觸發(fā)特性相差太大的可控硅在串聯(lián)運(yùn)行時(shí)將引起正向電壓無(wú)法平均分配，使tgt較長(zhǎng)的可控硅管受損，并聯(lián)運(yùn)行時(shí)tgt較短的可控硅管將分配更大的電流而受損，這對(duì)可控硅器件是不利的。所以同一臂上串或并聯(lián)的可控硅觸發(fā)電壓、觸發(fā)電流要盡量一致，也就是配對(duì)使用。

　　在不允許可控硅有受干擾而誤導(dǎo)通的設(shè)備中，如電機(jī)調(diào)速等，可選擇門(mén)極觸發(fā)電壓、電流稍大一些的管子(如可觸發(fā)電壓VGT>2V,可觸發(fā)電流IGT：>150mA)以保證不出現(xiàn)誤導(dǎo)通，在觸發(fā)脈沖功率強(qiáng)的電路中也可選擇觸發(fā)電壓、電流稍大一點(diǎn)的管。在磁選礦設(shè)備中，特別是舊的窄脈沖觸發(fā)電路中，可選擇一些VG、IG低一些的管子，如VGT<1.5V、IGT在≤100mA以下。可減少觸發(fā)不通而出現(xiàn)缺相運(yùn)行。以上所述說(shuō)明在某些情況下應(yīng)對(duì)VGT和IGT參數(shù)進(jìn)行選擇。(以上舉例對(duì)500A的可控硅參考參數(shù))

　　4 選擇關(guān)斷時(shí)間(tg)

　　可控硅在陽(yáng)極電流減少為0以后，如果馬上就加上正向陽(yáng)極電壓，即使無(wú)門(mén)極信號(hào)，它也會(huì)再次導(dǎo)通，假如在再次加上正向陽(yáng)極電壓之前使器件承受一定時(shí)間的反向偏置電壓，也不會(huì)誤導(dǎo)通，這說(shuō)明可控硅關(guān)斷后需要一定的時(shí)間恢復(fù)其阻斷能力。從電流過(guò)O到器件能阻斷重加正向電壓的瞬間為止的更小時(shí)聞間隔是可控硅的關(guān)斷時(shí)間tg，由反向恢復(fù)時(shí)間t和門(mén)極恢復(fù)時(shí)間t構(gòu)成，普通可控硅的tg約150-200μs，通常能滿足一般工頻下變流器的使用，但在大感性負(fù)載的情況下可作一些選擇。在中頻逆轉(zhuǎn)應(yīng)用，如中頻裝置、電機(jī)車(chē)斬波器，變頻調(diào)速等情況中使用，一定要對(duì)關(guān)斷時(shí)間參數(shù)作選擇，一般快速可控硅(即kk型晶閘管)的關(guān)斷時(shí)間在10-50μs，其工作頻率可達(dá)到1K-4KHZ；中速可控硅(即KPK型晶閘管)的關(guān)斷時(shí)間在60-100μs，其工作頻率可達(dá)幾百至lKHZ，即電機(jī)車(chē)的變頻頻率。

　　5 選擇電壓上升率(dμ／dt)和電流上升率(di／dt)

　　當(dāng)可控硅在阻斷狀態(tài)下，如在它的兩端加一正向電壓，即使所加電壓值未達(dá)到其正向更大值斷峰值電壓VDRM，但

　　只要所加的電壓的上升率超過(guò)一定值，器件就會(huì)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通，這是PN結(jié)的電容引起充電，起到了觸發(fā)作用，式使可控硅誤導(dǎo)通。不同規(guī)格的可控硅都規(guī)定了不同的dμ／dt值，選用時(shí)應(yīng)加以注意，選擇足夠的dμ／dt的可控硅管。一般500A的可控硅dμ／dt在100-200V／μs。電機(jī)車(chē)工作頻率在幾百HZ以內(nèi)選用KK或KPK晶閘管應(yīng)選用dμ／dt200-1000V／μs之間。

　　當(dāng)門(mén)極加入觸發(fā)脈沖后，可控硅首先在門(mén)極附近的小區(qū)域內(nèi)導(dǎo)通．再逐漸擴(kuò)大，直至全部結(jié)面導(dǎo)通，因此如在剛導(dǎo)通時(shí)陽(yáng)極電流上升太快，即可能使PN結(jié)的局部燒壞。所以對(duì)可控硅的電流上升率應(yīng)作一定的選擇，器件通態(tài)電流上升率(di／dt)應(yīng)能滿足電路的要求。普通的可控硅(500A)的di／dt在50一300A/μs，在工頻條件下，如磁選機(jī)di／dt在50A／μs以下就可以滿足使用；在變頻條件下．如電機(jī)車(chē)di／dt必須在100A／μs以上。當(dāng)陽(yáng)極電壓高而且在峰值時(shí)觸發(fā)的情況下對(duì)dμ/dt和di／dt的要求都比較高，除了應(yīng)使設(shè)備避免在這種狀態(tài)下運(yùn)行外，對(duì)可控硅的dμ/dt和di／dt同時(shí)也要選擇使用，選高一點(diǎn)參數(shù)的使用，另外開(kāi)通時(shí)直接接有大電容容量回路時(shí),也必須選用較大di／dt的可控硅器件。

6 選擇掣住電流IL和維持電流IH

　　當(dāng)可控硅門(mén)極觸發(fā)而導(dǎo)通，若陽(yáng)極電流IA尚未達(dá)到掣住電流IL值時(shí)，觸發(fā)脈沖一旦消失，可控硅便又恢復(fù)阻斷狀態(tài)，若IA>IL，雖去掉門(mén)極脈沖信號(hào)，仍維持可控硅導(dǎo)通。對(duì)如磁選裝置等的電感性負(fù)載應(yīng)加以注意。負(fù)載電流(亦即陽(yáng)極電流)增長(zhǎng)的快慢對(duì)于門(mén)極脈沖消失后可控硅是否能繼續(xù)導(dǎo)通很重要，如圖(1)所示：負(fù)載電流增長(zhǎng)快時(shí)，在脈沖未消失前，IA>IL，脈沖消失后不影響IA的流通，若IA增長(zhǎng)慢，脈沖消失時(shí)IA　　在保證可控硅可靠觸發(fā)并維持導(dǎo)通方面，據(jù)了解，有些半導(dǎo)體材料生產(chǎn)廠引人了日本的線路技術(shù)；“寬脈沖列觸發(fā)線路”，該脈沖列幅度前沿陡、寬度大(脈沖列寬l80°，一般窄脈沖只有30°一50°，強(qiáng)觸發(fā)脈沖也只有約90°)，所觸發(fā)快速、可靠，而且由于是脈沖列，所以功耗特別小(強(qiáng)觸發(fā)的寬脈沖功耗特別大是一個(gè)重要的缺點(diǎn))。

該電路的脈沖列寬有效地保證了可控硅的維持導(dǎo)通，對(duì)可控硅的維持電流參數(shù)可以不作要求。據(jù)了解該電路還有穩(wěn)壓或穩(wěn)流或穩(wěn)電流密度運(yùn)行的選擇，有限定電流運(yùn)行性能及過(guò)流封鎖保護(hù)，有積分“柔軟啟動(dòng)”特性，減小對(duì)可控硅的沖擊電流，并保留過(guò)溫和失壓等開(kāi)關(guān)信號(hào)的封鎖保護(hù)接口，大大提高了設(shè)備使用的可靠性使用壽命，廣東大寶山鐵礦等的磁選機(jī)用該電路后都取得了極好的效果。

　　綜上所述，在選擇可控硅器件參數(shù)的時(shí)候應(yīng)根據(jù)不同的場(chǎng)合，線路和負(fù)載的狀態(tài)而對(duì)一些特定的參數(shù)多給予選擇的考慮，方可使設(shè)備運(yùn)行更良好，更可靠和壽命更長(zhǎng)。